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Pressure-Induced Indirect-Direct Bandgap Crossover and Bandgap Engineering in Ductile Semiconductor Ag3PO4 with Negative Linear Compressibility
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Author:
Lu, Yang
1
Zhu, Shengcai
1
Huang, Eugene
1
He, Yu
1
Ruan, Jiaji
1
Yan, Hao
1
Institute:
1.
Center for High Pressure Science & Technology Advanced Research
Submit Time:
2018-09-03 00:41:25
Abstract:
" " " "
Negative compressibility
Bandgap engineering
Silver orthophosphate
From:
Yang Lu
Subject:
Materials Science
>>
Materials Science (General)
Cite as:
ChinaXiv:201809.00002
(or this version
ChinaXiv:201809.00002V1
)
DOI:10.12074/201809.00002V1
CSTR:32003.36.ChinaXiv.201809.00002.V1
TXID:
c1b13b64-5227-4e4a-9899-2f385c5b9049
Recommended references:
Lu, Yang,Zhu, Shengcai,Huang, Eugene,He, Yu,Ruan, Jiaji,Yan, Hao.Pressure-Induced Indirect-Direct Bandgap Crossover and Bandgap Engineering in Ductile Semiconductor Ag3PO4 with Negative Linear Compressibility.null.[ChinaXiv:201809.00002V1]
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[V1]
2018-09-03 00:41:25
ChinaXiv:201809.00002V1
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1.本文对银基半导体能带修饰作用领域提供很好的研究工作。作者使用高压实验和密度泛函计算研究发现,在高压下Ag3 PO4会发生间接到直接带隙的转变以及相变,文章条理清楚,逻辑通畅,值得一读。有几个小意见仅供参考。 1 figure 1d应添加误差棒。 2 figure 4a 的PDOS 应补充进去,以便使读者更好地了解Ag3PO4 在高压下的电子特性如何改变。
(Comment time:2018-10-30 21:58:15 )
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